transistor의 컬렉터속성
페이지 정보
작성일 22-12-31 10:33본문
Download : 트랜지스터의 컬렉터특성.hwp
여기서는 VCE의 큰 alteration(변화) 도 컬렉터에 작은 전류…(省略)
레포트/공학기술
,공학기술,레포트
transistor의 컬렉터속성
다. 모 든 트랜지스터 매뉴얼 리스트(manual list)가 그들의 characteristic(특성)을 이런 식으로 표시하지는 않는다.
세로축 VCE = -1의 오른쪽에서는 컬렉터 전류가 실질적으로 컬렉터 전압에 관계없고 주로
베이스 전류에만 좌우된다는 것을 주목하는것도 재미있따 또 하나의 주목할 가치가 있는 사실은 각 커브의 종단점이다. 다른 characteristic(특성)은 여기서 省略한다.
이점에서 컬렉터 전류는 대략 12mA이다.
설명
0_transistor의컬렉터속성
트랜지스터의 컬렉터특성에 대한 글입니다.다른 커브들 각각의 종단점들은 유사하게 이와같은 전력 범위내로 제한된다된다. 이값은 트랜지스터의 종단점은 전력소모 정격 150mA에 근접한다. 각 커브는 입력 베이스 전류의 증가에 따라 컬렉터 전류가 증가함을 반영하고 있음에 주목해야한다. 이 커브들은 트랜지스터 매개 변수 alteration(변화) 에 대한 효율를 보여줌으로 회로설
자 그리계고 기술자에게 중요한 정보원이 된다된다. 커브들의 왼쪽 빗금친 영역은 트랜지스터의 포화(최대 도통)영역을 표시한다. IB = 0 아래 빗금친 부분은 차단 영역으로 불리운다. 그러므로 커브상의 종단점에서 VCE와 Ic 의 곱은 144mW이다.
5. 트랜지스터 characteristic(특성) 커브
트랜지스터 메뉴얼에 포함된 트랜지스터 characteristic(특성)커브는 트랜지스터에 관하여 그래픽 형태로 정보를 제공한다.0_트랜지스터의컬렉터특성 , 트랜지스터의 컬렉터특성공학기술레포트 ,
순서
Download : 트랜지스터의 컬렉터특성.hwp( 57 )
그림1은 2N4074에 대한 약간의 characteristic(특성)을 보여준다.
트랜지스터는 전력소모 정격내에서 동작되어야 한다.
각 커브는 VCE의 함수(VCE 의 여러값에 대한)로서 Ic를 그리므로 얻어진다.
2. mean(평균) 콜랙터 characteristic(특성), 공통 이미터 회로구성.
그림 2는 PNP형 2N217 공통 이미터 구성 회로에 대한 mean(평균) 콜랙터 characteristic(특성) VCE와 Ic를 보여준다.
0.1mA의 베이스 바이어스 전류에 대하여 커브는 VCE = -12V에서 끝난다. 기술자는 그들이 사용하는 트랜지스터 매뉴얼과 친숙해야한다.transistor의 컬렉터속성 에 대한 글입니다. VCE에서의 작은 alteration(변화) 가 Ic에서의 큰 alteration(변화) 로 결과 되어 진다. 더욱이 사용된 기호는 비록 상당 수준으로 표준화 되었지만 항상 같지는 않다.